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HBM构筑高弹性空间，技术升级叠加扩产共塑份额红利

原文出处：东吴证券　贡献者：研报专业户

美光科技(MU)

存储行业正在完成从\周期股\到\AI算力基础设施\的估值范式切换，美光作为唯一兼具DRAM与NAND双重弹性的美国本土厂商，是本轮AI推理周期最直接的受益者。FY26Q2营收238.6亿美元、GAAP毛利率74.4%（环比+18.4pct）、Non-GAAP EPS12.20美元显著超Bloomberg一致预期，公司指引Q3毛利率进一步升至约81%，盈利兑现节奏远快于此前周期复苏。

推理时代来临，RAG与企业级SSD构成NAND第二增长极。存储需求从\训练侧一次性爆发\转向\推理侧持续性消耗\。RAG架构对向量数据库的依赖直接带动了高性能企业级SSD的需求，KV Cache卸载至SSD成为NAND新增量。FY26Q2美光NAND营收50亿美元（QoQ+82%），数据中心SSD份额连续四年提升；Micron9650（PCIe Gen6）已率先量产，读取性能较Gen5翻倍。

深度绑定核心算力平台，HBM4率先量产抢占下一代主导权。美光正凭借极强的产品执行力迅速重塑AI存储的竞争格局。公司2026年HBM产能已全面售罄，且专为英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4已于26年Q1率先量产出货，总带宽超2.8TB/s。叠加全球首发的1γ（1-gamma）EUV先进制程，美光在高壁垒的AI存储赛道持续领跑，中长期有望迎来“量价齐升”与“份额扩张”，实现经营业绩的高速增长。

AI挤压效应重塑供给端，存储供需结构性错配。庞大的AI算力需求不仅拉动了HBM需求的爆发，其对晶圆的极高消耗量正在严重挤占传统DRAM的有效供给。同时，NAND端原厂向高层QLC转产也导致了总体产能的结构性收紧。在AI需求强劲拉动与传统产能受控的双重夹击下，存储芯片大盘的供需紧缺或将延续数年。美光将全面享受行业价格中枢上移带来的高额红利。

盈利预测与投资评级：公司作为美国本土存储行业龙头，DRAM与NAND在存储行业中地位稳固，HBM扩产或提供较大业绩弹性，有望在AI驱动的基础设施建设中持续受益。我们预计公司FY2026-FY2028年归母净利润为678.1/1,109.1/1,154.4亿美元，对应当前市值PE分别为14.9/9.1/8.8X。考虑到公司HBM量价齐升与企业级SSD结构性扩张，业绩兼具确定性与成长性，首次覆盖给予“买入”评级。

风险提示：存储行业周期再现风险；国产产能加速冲击中低端市场；云厂商资本开支不及预期风险；股价短期波动风险。

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美光科技公司

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