CMP设备通过化学腐蚀与机械研磨协同作用,实现晶圆表面高效去除与全局纳米级平坦化,是集成电路制造的关键工艺。随着集成电路线宽不断细小化,CMP技术日益重要,步骤不断增加。CMP设备涉及多学科交叉,研发制造难度大。中国CMP设备市场规模受半导体技术发展和下游市场需求拉动,国家政策推动国产化进程。未来,先进制程升级和多层金属化技术广泛应用将增加CMP设备需求,市场前景广阔。
行业定义
CMP设备(Chemical Mechanical Polishing)化学机械抛光设备,是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化——全局平整落差5nm以内的超高平整度,主要用于集成电路制造领域。目前集成电路组件普遍采用多层立体布线,集成电路制造的工艺环节要进行多次循环,每完成一层布线都需要对晶圆表面进行全局平坦化和除杂,从而进行下一层布线。CMP设备在晶圆完成每层布线后实现全局纳米级平坦化与表面多余材料的高效去除,保证光刻工艺套刻精度和多层金属互联的高质量实现。
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